eletromagnetismo quântico químico relativístico Graceli.



MECÂNICA DO SISTEMA DIMENSIONAL GRACELI.

ONDE A MAIORIA DOS FENÔMENOS FÍSICOS [EM TODAS AS ÁREAS] VARIAM CONFORME O SISTEMA DIMENSIONAL GRACELI.

SENDO ELE;



      EQUAÇÃO GERAL DE GRACELI.[quantização de Graceli].

  G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..  =

G ψ = E ψ =  E [tG+]ψ ω /c] =   [/ ] /  /   = ħω [Ϡ ]  [ξ ] [,ς]   [ q G*]ψ μ / h/c ψ(xt)  [x  t ]..

q [tG*] ==G ψ = E ψ =  E [tG+].... .. 

SISTEMA GRACELI DE:

 TENSOR [tG+] GRACELI = SDCTIE GRACELI, DENSIDADE DE CARGA E DISTRIBUIÇÃO ELETRÔNICA, NÍVEIS DE ENERGIA, NÚMERO E ESTADO QUÂNTICO. + POTENCIAL DE SALTO QUÂNTICO RELATIVO AOS ELEMENTOS QUÍMICO COM O SEU RESPECTIVO  E ESPECÍFICO NÍVEL DE ENERGIA., POTENCIAL DE ENERGIA, POTENCIAL QUÍMICO,  SISTEMA GRACELI DO INFINITO DIMENSIONAL.


ONDE A CONFIGURAÇÃO ELETRÔNICA TAMBÉM PASSA A SER DIMENSÕES FÍSICO-QUÍMICA DE GRACELI. 

q [tG*] = energia quântica Graceli.





efeito Hall está relacionado ao surgimento de uma diferença de potencial em um condutor elétrico, transversal ao fluxo de corrente e um campo magnético perpendicular à corrente. Esse fenômeno foi descoberto em 1879 por Edwin Herbert Hall,[1] e é extremamente importante no estudo da condutividade, pois a partir do coeficiente de Hall é possível determinar o sinal e a densidade de portadores de carga em diferentes tipos de materiais. O efeito Hall é a base de diversos métodos experimentais utilizados na caracterização de metais e semicondutores.

Descoberta

Em 1879, Edwin Herbert Hall descobriu o efeito que leva seu nome durante seu doutorado em física sob a supervisão de Henry Augustus Rowland na Universidade Johns Hopkins em BaltimoreMaryland. Em seus estudos experimentais sobre a influência do campo magnético nos portadores de carga da corrente elétrica, ele determinou a existência de portadores de carga negativa muitos anos antes da descoberta dos elétrons por Joseph John Thomson. Segundo seu trabalho, o campo magnético desviaria o movimento de cargas eletrônicas dentro de um condutor e a deflexão poderia ser medida como uma voltagem, , perpendicular ao fluxo das cargas (vide Força magnética). Essa diferença de potencial, também conhecida como voltagem Hall, revela informações essenciais sobre os portadores de carga em um semicondutor, incluindo se são elétrons negativos ou quase partículas positivas, sua velocidade em um campo elétrico ou sua “mobilidade” (µ) e sua densidade (n) dentro do semicondutor.[2]

Teoria

Durante seus estudos de doutorado, Edwin Hall buscava entender qual a influência de um campo magnético externo sob um fio condutor. Ele queria entender se a força devido a este campo externo atuaria sobre os portadores de corrente elétrica ou sobre o fio como um todo. Hall acreditava que essa força magnética atuaria sobre os portadores de carga fazendo com que a corrente se deslocasse para uma determinada região do fio, e portanto, a resistência do fio iria aumentar. Apesar de não observar tal aumento na resistência do fio em seus experimentos, Hall sabia que de alguma forma a corrente elétrica era alterada sem que a resistência fosse modificada. Ele propôs a presença de um estado de stress em uma determinada região do condutor, devido ao acúmulo de portadores de carga, que originaria uma diferença de potencial transversal mais tarde conhecida como tensão de Hall.

Para entender melhor a origem desse fenômeno vamos considerar a definição para corrente elétrica segundo o modelo de Drude, ou seja, vamos considerar que a corrente é formada por um fluxo de portadores de carga (elétronsíons ou lacunas) que seguem uma trajetória linear até que se choquem com os átomos da rede, impurezas, fônons, etc. Em seus experimentos, Hall considerou um fio metálico conduzindo corrente elétrica ao longo do eixo x (com densidade de corrente ), sob a ação de um campo magnético externo  aplicado ao longo do eixo z. A presença do campo faz com que os portadores de carga experimentem uma força magnética que causa uma deflexão na trajetória dos portadores na direção y. Essa mudança de trajetória gera separação de cargas ao longo da direção y e, consequentemente, um campo elétrico, conhecido como campo de Hall. haverá então um acúmulo de carga nas extremidades do elemento Hall, resultando na d.d.p. conhecida como potencial de Hall. Para um metal simples, ou seja, com um único portador de carga, o potencial de Hall pode ser escrito como:

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... .. 

onde  representa a densidade de portadores e  a espessura do fio. Uma outra quantidade interessante relacionada ao efeito Hall é o coeficiente de Hall, que é a constante de proporcionalidade entre o campo de Hall e o produto do campo magnético com o fluxo de corrente

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Como o sinal da força magnética é o mesmo para cargas positivas se movendo em uma determinada direção e cargas negativas se movendo na direção oposta, o sinal do coeficiente de Hall depende exclusivamente do campo de Hall. Assim, como o sinal de  depende exclusivamente do sinal da carga dos portadores, o coeficiente de Hall permite identificar se o fluxo de corrente se deve a portadores negativos () ou positivos (). Desta maneira, podemos concluir que o efeito Hall, além de permitir a determinação da densidade de corrente e a mobilidade dos portadores ou do campo magnético, este também permite a distinção entre um fluxo de cargas positivas e negativas. O efeito Hall é a primeira prova real de que a corrente elétrica em metais se deve ao movimento dos elétrons e não dos prótons. Ainda mais, esse efeito demonstrou que em alguns materiais, especialmente semicondutores do tipo p, a maneira mais apropriada de se descrever a corrente elétrica é através do fluxo de buracos positivos ao invés de elétrons. Contudo, o efeito Hall gera confusões em alguns casos. Por exemplo, buracos se movendo para a esquerda na realidade são elétrons se movendo para a direita e portanto devemos ter o mesmo sinal para o coeficiente de Hall, o que não ocorre. Tal problema só pode ser solucionado quando consideramos a teoria quântica do transporte em sólidos [2].

Efeito Hall em semicondutores

A forma do coeficiente de Hall para semicondutores é mais complexa, uma vez que podemos ter dois tipos de portadores de carga, elétrons e buracos, com densidades e mobilidades diferentes. Para o caso de campos magnéticos moderados podemos escrever o coeficiente de Hall como sendo [3]

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

onde  e  são as densidades e  e  são as mobilidades para os elétrons e buracos respectivamente. No caso de campos magnéticos altos o coeficiente de Hall é análogo ao caso de um único portador

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

onde .

Efeito Hall quântico

Ver artigo principal: Quantum Hall Effect (em inglês)

Efeito observado em sistemas eletrônicos de duas dimensões sob baixas temperaturas e altos campos magnéticos. A característica marcante desse efeito é a presença de uma condutividade de Hall quantizada, onde a quantização esta relacionada aos níveis de Landau.

Efeito Hall com spin

Ver artigo principal: Spin Hall Effect (em inglês)

O efeito Hall com spin esta relacionado com a existência de um acúmulo de spin nas extremidades de um condutor com uma corrente de portadores. Neste caso, não é necessária a presença de um campo magnético externo para se observar o efeito. Esse efeito foi descoberto por I. Dyakonov e V.I.Perel, em 1971, e observado experimentalmente 30 anos mais tarde em semicondutores e metais sob criogenia e à temperatura ambiente.

Efeito Hall quântico com spin

Ver artigo principal: Quantum Spin Hall Effect (em inglês)

Observados em semicondutores de duas dimensões onde ocorre o acoplamento spin-órbita.

Efeito Hall anômalo

Em materiais ferromagnéticos (e materiais paramagnéticos na presença de um campo magnético), a resistividade Hall inclui uma contribuição adicional ao efeito Hall comum, conhecido como o efeito Hall anômalo. Esse efeito depende diretamente da magnetização do material, e é frequentemente maior que o efeito Hall comum. Embora este seja um fenômeno bem conhecido, ainda existem discussões sobre sua origem em diversos materiais. O efeito Hall anômalo pode ser um efeito extrínseco causado pelo espalhamento dos portadores de carga com spin, ou um efeito intrínseco que pode ser descrito em termos do efeito de Fase de Berry no espaço dos momentum do cristal [5].

Efeito Hall em gases ionizados

O efeito Hall em um gás ionizado (plasma) é significativamente diferente do efeito Hall em sólidos (onde o coeficiente de Hall  é sempre muito inferior à unidade). Em um plasma, o coeficiente de Hall pode assumir qualquer valor, sendo dado pela relação entre a girofrequência do elétron, e a frequência de colisão entre os elétrons e as partículas pesadas ,

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

onde  é a massa do elétron.

O valor do coeficiente de Hall é diretamente proporcional à intensidade do campo magnético. Fisicamente, sabemos que a trajetória dos elétrons é curvadas pela força magnética. No entanto, quando o coeficiente de Hall é baixo, o movimento do elétron entre duas colisões com as partículas pesadas é quase linear. Por outro lado, se o coeficiente de Hall é alto, o trajeto dos portadores é altamente curvado e a aproximação de trajetórias retilíneas não se aplica. No caso do gás ionizado, o vetor densidade de corrente não é mais colinear ao vetor campo elétrico, e o ângulo  entre eles está relacionado ao coeficiente de Hall da seguinte maneira:

/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..


Em mecânica estatística, a estatística de Fermi-Dirac é uma estatística quântica que descreve o comportamento de sistemas de partículas com spin semi-inteiro, os férmions. Leva o nome de dois eminentes físicos: Enrico Fermi e Paul Adrien Maurice Dirac cada um dos quais descobriu o método de forma independente (embora Fermi tenha definido as estatísticas antes de Dirac).[1][2] Antes do estudo da estatística de Fermi-Dirac é necessário compreender algumas diferenças entre sistemas clássicos e quânticos. Sistemas clássicos são formados, a priori, por partículas distinguíveis, ou seja, é possível identificar e diferenciar tais partículas individualmente e nestes sistemas os efeitos quânticos são desprezíveis, sendo o sistema descrito pela estatística de Maxwell–Boltzmann. Já sistemas quânticos são formados por partículas indistinguíveis, devido à superposição de suas funções de onda, ou seja é impossível descrevê-las individualmente e neste sistema os efeitos quânticos devem ser considerados. Sistemas quânticos podem ser descritos pelas estatísticas de Fermi-Dirac ou de Bose-Einstein, dependendo do spin das partículas.[3][4]

Formulação matemática

Como as partículas são indistinguíveis na estatística de Fermi-Dirac, a especificação do número de partículas é suficiente para determinarmos o estado do gás. Como os férmions obedecem ao princípio de exclusão de Pauli, não é possível que mais de uma partícula esteja no mesmo estado, se faz apenas necessário somar sobre todos os números possíveis de partículas em um único estado, ou seja, os dois possíveis valores [5]:

 para cada 

Quando o número total de partículas  é fixado, a soma sobre todos os valores possíveis de , com  segue a seguinte relação

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Dado um sistema com  férmions em equilíbrio térmico a uma temperatura arbitrária , o número médio de partículas  em um estado particular  com energia  é obtido através da distribuição canônica, logo[5]

/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

no qual , sendo  a constante de Boltzmann. Podemos renomear alguns termos na expressão acima, de forma que obtemos

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Somando sobre  = 0 e 1, temos

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

ou, ainda, podemos simplificar:

Na condição em que , podemos escrever

/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..
 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

com . Como  é uma soma sobre muitos estados, a variação de seu logaritmo com o número de partículas total  não é afetado por qual estado particular  foi omitido no somatório. Portanto, podemos fazer uma aproximação em que  é independente de :

Ainda, podemos aproximar  em termos da derivada da função partição  sobre todos os estados, assim[5]:

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Se utilizarmos  na aproximação, encontraremos a distribuição de Fermi-Dirac[5]:

Ainda, o parâmetro  pode ser determinado pela primeira condição feita nesta dedução, em que

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

ou

Da relação entre a função partição  e a energia livre de Helmholtz , sabemos que , logo:

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

onde  é o potencial químico. Então outra forma de se definir a distribuição de Fermi-Dirac é[5]:

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Quando os níveis de energia são muito próximos, de modo que podemos considerar que formam um contínuo, o número médio de partículas com energia entre  e , pode ser escrito como[5]

 
/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Onde  é a densidade de estados, de modo que  fornece o número de estados com energia entre  e . E  é a chama função de Fermi, dada por[5]

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Interpretação física

Para uma temperatura de 0 K, a função de Fermi é uma função de passo que vale 1 se  e 0 se . Ou seja, todos os estados com energia  estão ocupados, enquanto os estados com energia  estão vazios. A energia do último nível ocupado em 0 K se denomina energia de Fermi () e corresponde ao potencial químico do sistema. Também é usual associar uma temperatura a esta energia mediante , sendo  a temperatura de Fermi[5].

No entanto, a definição mais precisa para a energia de Fermi é de que se trata da energia para a qual a função de Fermi é igual a 1/2, independentemente da temperatura. Deste modo, a energia de Fermi possui uma dependência com a temperatura embora muito fraca. Termodinamicamente, esta definição ainda equivale ao potencial químico do sistema[6].

À medida que a temperatura do sistema aumenta, as partículas nos estados ligeiramente abaixo do nível de Fermi (até cerca de ) são excitadas para estados com  (até ), e a função de Fermi deixa de ser uma função de passo e se apresenta mais suave, como pode ser visto na Figura 1. Estados com energias menor que  não são excitados em consequência do princípio de exclusão de Pauli, uma vez que a energia adquirida os levaria aos estados já ocupados[5][6].

A distribuição de Fermi-Dirac tem importância capital no estudo de gases de férmions e em particular no estudo dos elétrons livres em um metal.

Aplicações

Conforme comentado anteriormente, as estatísticas de Fermi–Dirac e Bose–Einstein são aplicadas quando efeitos quânticos são apreciáveis e as partículas são consideradas "indistinguíveis". Os efeitos quânticos aparecem se a concentração de partículas (N/V) ≥ nq (aonde nq é a concentração quântica). A concentração quântica é atingida quando a distância média entre partículas é da ordem do comprimento de onda térmico de de Brogliei.e. quando as funções de onda das partículas se superpõem[3].

Em decorrência disto, as partículas se tornam indistinguíveis e os resultados obtidos para qualquer grandeza mensurável não pode depender da identificação da partícula. Como a concentração quântica depende da temperatura; altas temperaturas irão colocar a maioria dos sistemas no limite clássico, desde que não possuam uma densidade muito alta, e.g. uma anã branca.

A estatística de Fermi–Dirac é aplicada a férmions (partículas com spin semi-inteiro que obedecem ao princípio de exclusão de Pauli) uma vez que sistemas constituídos de férmions devem ser descritos por uma autofunção total antissimétrica, o que implica na impossibilidade da existência de duas ou mais partículas ocuparem o mesmo estado; enquanto a estatística de Bose–Einstein é aplicada a bósons (partículas com spin inteiro). Tanto Fermi–Dirac quanto Bose–Einstein tornam-se a estatística de Maxwell–Boltzmann em altas temperaturas ou baixas concentrações[5].

estatística de Maxwell–Boltzmann é frequentemente descrita como estatística de partículas clássicas "distinguíveis". Em outras palavras a configuração de partícula A no estado 1 e a partícula B no estado 2 é diferente do caso onde a partícula B está no estado 1 e a partícula A está no estado 2. Quando esta ideia é estendida, conduz à distribuição própria (de Boltzmann) de partículas em estados de energia, mas conduz a resultados sem significado físico para a entropia, conforme incorporado no paradoxo de Gibbs. Estes problemas desaparecem quando se percebe que todas as partículas são de fato indistinguíveis entre si, isto é, se levamos as estatísticas quânticas ao limite clássico obtemos os resultados corretos para entropia e outras grandezas termodinâmicas[5].

A distribuição estatística de Maxwell–Boltzmann é particularmente útil para estudar gases ideais clássicos. A distribuição estatística de Fermi–Dirac é mais usualmente usada para o estudo do comportamento de elétrons em sólidos. Como tal, é a base da teoria dos dispositivos semicondutores e da eletrônica.

Aplicação em elétrons de condução em um metal

Uma aplicação comumente feita para a estatística de Fermi-Dirac se faz quando analisamos o comportamento de elétrons de condução em um metal. Isso é possível, pois, em um metal há muitos elétrons de condução cujas funções de onda se superpõem. O potencial gerado pelos íons positivos na rede cristalina se aproxima de um poço quadrado, de modo que é possível considerar o interior do sólido como uma região de potencial aproximadamente constante para esses elétrons com os limites do metal agindo como altas barreiras de potencial[3]. A repulsão mútua entre os elétrons é muito próxima de zero, por causa disso podemos considerar os elétrons de condução como partículas livres, assim tratando como um gás de elétrons, portanto, sendo possível utilizar a descrição de Fermi-Dirac.

densidade de estados calculada para este gás de elétrons contidos em um sólido de volume  é[6]

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Logo,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Com base nesta equação, encontramos a distribuição dos elétrons na banda de condução. Podemos calcular também uma relação para a energia de Fermi, fazendo  = 0 e integrando a equação de 0 até , temos que

/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

sendo  o número total de elétrons. Portanto,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Onde o índice 0, indica que esta é a energia de Fermi para uma temperatura de zero absoluto. A pressão do gás de elétrons pode ser escrita como  [7] / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Calor específico eletrônico

A partir da estatística de Fermi-Dirac, também é possível determinar a contribuição dos elétrons livres de um metal para o calor específico de um sólido. Uma análise detalhada mostra que o calor específico molar a volume constante devido aos elétrons é[5]

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Como a temperatura de Fermi é muito elevada (cerca de 80000 K para o cobre), a contribuição dos elétrons livres para o calor específico é, em geral, desprezível, o que explica o fator do calor específico a volume constante de isolantes e condutores ser igual em condições típicas de temperatura.[5]

Aplicação em estrelas anãs brancas

Outra aplicação importante trata-se dos gases de Fermi degenerados, relevantes na análise da constituição de uma estrela anã branca. O gás de elétrons descrito pela estatística de Fermi-Dirac se encontra tanto em metais, especialmente na condução, como também no interior de estrelas anãs brancas, que possuem densidades extremas e temperaturas também imensas, e a pressão do gás de elétrons no interior dessas estrelas impedem que as mesmas entrem em colapso. Os elétrons se encontram a uma energia cinética gigantesca [8] que assim consegue contrabalancear a gravidade, se isso não for suficiente ocorre o colapso em que elétrons se combinam nos prótons e, portanto, geram um nêutron. Isso pode acarretar em uma estrela de nêutron que possui ordens de densidade estratosféricas, no qual uma colher de chá de algo tão denso teria uma massa de 50 toneladas.




Em um sistema quântico constituído de muitas partículas idênticas com spin inteiro, a estatística de Bose-Einstein, ou estatística BE, é utilizada para descrever o sistema e calcular os valores médios das grandezas físicas.

Em um sistema de  bósons idênticos de massa , que possuem interação mútua desprezível, contidos em um recipiente de volume , a uma temperatura , em equilíbrio, o número médio de partículas  num estado de energia  é dado por

 , / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

em que  é a degenerescência quântica do estado  é a energia do estado  é o potencial químico, e / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..em que  é a constante de Boltzmann[1].

Formulação matemática

Seja um gás de  partículas idênticas confinadas em um volume . Sendo  o conjunto das coordenadas generalizadas da i-ésima partícula e  o índice rotulador dos possíveis estados quânticos desta única partícula, o estado do gás inteiro é então descrito pelo conjunto de números quânticos

os quais definem a função de onda  do gás nesse estado.

A estatística BE trata de partículas em que o spin total é medido em unidade inteiras de  — os chamados bósons — como, por exemplo, o átomo de Hélio-4 e o fóton.[1] Partículas quânticas são indistinguíveis, ou seja, a troca de duas partículas não altera o estado do sistema. Além disto, a função de onda total para um sistema de bósons é simétrica sobre a troca de duas partículas[1]

Como consequência, os bósons não obedecem ao princípio de exclusão de Pauli, não havendo limitação no número de partículas que podem ocupar um dado estado quântico[1]. Tomando este gás a uma temperatura  e que cada partícula está em um estado  de energia  onde há  partículas neste estado, o gás inteiro possui  estados possíveis. Desprezando as interações mútuas entre as partículas, a energia do gás no estado  será dada por

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

em que a soma se estende sobre todos os estados  possíveis de uma partícula[2]. Como o número de partículas é fixo, também temos que

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

função partição  do gás será dada por

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Essa soma é sobre todos os estados  possíveis do gas inteiro, isto é, sobre todos os possíveis números [2]. Como exp é a probabilidade relativa de encontrar o gás em um estado partículas onde há  partículas em 1,  em partículas em 2 e assim sucessivamente, pode-se escrever o número médio de partículas em um estado  como

Somando todos os possíveis valores de , usando a propriedade multiplicativa da exponencial e rearranjando, pode-se escrever  como

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

em que o sobrescrito  no somatório indica a soma com exceção do estado  em particular. Adotando a notação:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

A restrição de  fixo implica que se uma partícula está no estado , a soma  se estende pelas  partículas restantes que podem ser colocadas nos estados . Ao executar explicitamente a soma sobre  ter-se-á[3]

Estabelecendo a seguinte relação entre  e  onde 

em que

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

e portanto,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Mas como  é uma soma sobre muitos estados, espera-se que a variação de seu logaritmo natural com o número total de partícula seja imperceptível para o qual um estado particular  seja omitido da soma[3]. Vamos introduzir a aproximação de que  é independente de , então podemos só escrever  para todo [3]. Logo,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Do ensemble canônico, sabe-se que essa derivada parcial resulta em , em que  é o potencial químico do gás[3]. Portanto,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Substituindo estes resultados em  teremos

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Cancelando  ter-se-á

Que é uma série geométrica. Usando a função partição de acordo com[3] isso resultará em

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Se o estado  é degenerado com degenerescência  então o número médio de partículas com energia  é obtido multiplicando a expressão anterior por . Finalmente,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

A estatística de Bose-Einstein reduz-se à estatística de Maxwell-Boltzmann para energias: [4][5].

Gás de fótons

Um caso especial da estatística de Bose-Einstein é o gás de fótons. Fótons possuem spin inteiro igual a 1, então desta forma são considerados bósons. O caso é especial devido ao fato de que se considerarmos vários fótons dentro de um recipiente com volume V, o número destes fótons não será constante, pois conforme estes fótons interagem com as paredes do recipiente estes são absorvidos ou emitidos. Desta forma, não podemos impor um vínculo ao número total de fótons no sistema. Neste caso, precisaremos realizar as somas sobre todos os possíveis números de partículas em cada estado, da forma[6]:

 para todo r.

A função partição para o gás de fótons é dada por:

No qual R são todos os estados possíveis do gás. Como não há vínculos agora para o número de partículas por estado, podemos utilizar as propriedades das funções exponenciais e reescrever a soma acima como: / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Ou ainda:

/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Como não há restrição para o número de fótons, as somas acima são consideradas até um número muito grande de partículas por estado de energia, no qual matematicamente isto se traduz a realizarmos a soma até o infinito, embora fisicamente, estejamos carregando a soma até um número muito grande de partículas. Como estamos tratando de uma exponencial com argumento negativo, após um certo valor os termos serão desprezíveis, não tendo problemas com divergências. Se olharmos com cuidado para as somas dentro dos colchetes acima, percebe-se que podemos escrevê-las como abaixo:

Ou seja, cada termo é uma soma geométrica. Assim, podemos reescrever a função partição da seguinte forma:

E o logaritmo natural da função partição, que é o qual estamos interessados é dado por:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Nosso próximo objetivo agora é encontrar o número médio de partículas em um estado de energia . Tal resultado pode ser obtido através da expressão abaixo[6]:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Realizando a derivação do logaritmo natural da função partição, temos o resultado abaixo:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

O resultado acima é este pois a única derivada que não é zero é o termo da soma no qual . Podemos simplificar o resultado acima, multiplicando e dividindo a expressão acima pela exponencial com o mesmo argumento, porém positivo, e assim obtemos o importante resultado dado por:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Este resultado é conhecido como a distribuição de Planck, e fornece o número médio de fótons em um determinado estado s. Uma das aplicações mais famosas do resultado acima é no problema da radiação de corpo negro.

Radiação de corpo negro

Ver artigo principal: Radiação de corpo negro
Radiância espectral
Radiância espectral em função da frequência

Todo corpo a uma temperatura  emite radiação eletromagnética. A distribuição de Planck fornece o espectro de emissão para uma classe especifica de corpos, os chamados corpos negros, definidos como os corpos que absorvem toda a radiação incidente. Pode-se modelar um corpo negro como uma cavidade metálica com volume , tal que haja apenas um pequeno orifício em uma de suas paredes. Logo, esta cavidade absorve toda a radiação que entra por ali, e radiação emitida pelo orifício que é oriunda das emissões a partir das superfícies internas da cavidade se comporta como se fosse um corpo negro.[7]

Busca-se a chamada radiância espectral , que fornece a potência irradiada por unidade de área com frequência entre  e  pelo corpo estudado a uma data temperatura. Através de uma análise física do problema, pode-se mostrar que a radiância espectral está diretamente ligada com a densidade de energia dentro da cavidade. A relação entre as duas grandezas é dada por:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Pode-se então obter a densidade de energia, e assim resolve-se o problema da mesma maneira. A densidade de energia pode ser obtida a partir da probabilidade de um nível com energia  estar ocupado por  fótons, sendo assim se multiplicarmos este valor pelo número de médio fótons por unidade de volume naquele estado, teremos a densidade de energia dentro desta cavidade na forma:[8]

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Onde  é a densidade de estados ou degenerescência. Como temos o número médio de fótons em um estado , basta multiplicar este número pela energia do estado , assim:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Como os estados do sistema estão muito próximos um dos outros, por conta da cavidade ocupar um volume V macroscópico, podemos tratar as variáveis como sendo contínuas. O número de estados por unidade de volume dentro da cavidade com frequência entre  e  é dada por:[9]

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Sabemos que a energia e a frequência de um fóton estão ligado pela expressão de Planck , desta forma se fizermos a substituição sugerida, obtemos assim a expressão para a densidade de energia dentro de uma cavidade.

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

E a radiância espectral é dada diretamente por:

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Todo o caminho feito para o obtenção do resultado foi a partir da análise das propriedades quânticas e estatísticas de fótons dentro de um volume V, e em equilíbrio térmico a uma temperatura T. Pode-se chegar no mesmo resultado analisando a interação da radiação eletromagnética dentro do volume V com as paredes do recipiente[10].

Comparação entre as estatísticas

Comparação das distribuições de Maxwell-Boltzmann (MB), Bose-Einstein (BE) e Fermi-Dirac (FD).
Influência do potencial químico na distribuição BE.
Influência da temperatura na distribuição de BE.

Nota-se que um sistema de bósons possui uma maior ocupação dos estados, devido aos efeitos quânticos de simetria da função de onda do sistema [11]. Nesta distribuição identifica-se que para o regime  as distribuições quânticas de Bose-Einstein (BE) e Fermi-Dirac (FD) se aproximam da distribuição clássica de Maxwell-Boltzmann (MB), que representa o regime de baixas densidades e altas temperaturas, ou seja, o limite clássico [12].

Em diferentes valores do potencial químico, nota-se que os estados de menor energia (próximos ao estado fundamental) são os mais populados. Para baixas temperaturas as partículas se concentram nos estados de menor energia. No limite de temperatura tendendo a zero, todas as partículas vão para o estado fundamental (), logo,  enquanto  para os demais estados [13]. Já para altas temperaturas, devido à energia térmica do sistema, as partículas tem maior probabilidade de atingir estados mais energéticos.

Condensação de Bose-Einstein

condensado de Bose-Einstein é uma fase da matéria formada por bósons a uma temperatura muito próxima do zero absoluto. Nestas condições, uma grande fração de átomos atinge o mais baixo estado quântico, e nestas condições os efeitos quânticos podem ser observados em escala macroscópica. Sistemas em baixa temperatura ou com densidade relativamente alta de partículas são mais prováveis de apresentarem comportamentos quânticos, mesmo em sistemas onde a interação intramolecular é desprezível[14].

Temperatura crítica para um gás ideal de bósons

Um gás ideal de bósons não está sujeito ao princípio de exclusão de Pauli. Logo, os bósons podem se condensar no seu estado de menor energia. A densidade de estados  é dada por,

/ G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Logo, o número de partículas  pode ser reescrito como

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

A distribuição continua pode ser utilizada pois os níveis do sistema quântico discreto são numerosos e estão muito próximos. Portanto,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Porém, como a integração dar-se-á de , a informação do estado fundamental é perdida. Todavia, quando a temperatura do sistema diminui, o potencial químico aumenta, e o número de partículas no estado fundamental é dada por [15]

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Seja o número de partículas em estados excitados dado por , temos

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Porém, para temperaturas muito próximas de zero , ou seja,

Variação da temperatura de No/N (preto) e de Ne/N (vermelho) para uma gás ideal de bósons.

E, considerando  grande,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Logo, . E  se torna,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Introduzindo a mudança de variável , temos

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

A integral pode ser escrita em termos da função gama  e da função zeta de Riemann . De fato, ela é igual a , onde , logo,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

A temperatura crítica, ou de Bose-Einstein, , é a temperatura em que acima dela todos os bósons estão em um estado excitado, e pode ser encontrada tomando , onde , assim, da última equação,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Se , a razão de bósons no estado excitado em relação ao total, é

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..

Consequentemente, a razão para os bósons no estado fundamental é,

 / G ψ = E ψ =  E [tG+].... ..


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